韩国内存芯片制造商SK海力士股价创下历史新高，周五盘中一度涨至329500韩元，收盘时回落至328500韩元，收涨7%。
该公司股价的上涨与其下一代高带宽内存HBM4准备量产的计划有关。SK海力士表示，HBM4将提供约两倍于上一代产品的带宽，并改善超过40%的能效，这得益于采用了2048个输入输出端口。
SK海力士预计，新内存将使AI服务性能提升高达69%，同时降低数据中心的电力成本，而电力需求正成为数据中心的一个关键问题。
作为英伟达的关键供应商，SK海力士在DRAM销售方面也表现出色，今年早些时候其市场份额超过了三星。标普全球的数据显示，该公司在上半年占据了约36%的市场份额，而三星为33%。
业内人士指出，随着英伟达在2026年下半年将其AI加速器从目前的Blackwell系列过渡到Rubin系列，其旗舰内存也预计将从HBM3E转向HBM4。而若SK海力士顺利通过英伟达的最终测试，其内存将被AI芯片Rubin所采用。
你追我赶
今年3月，SK海力士表示，已向客户交付了HBM4芯片样品，并透露该公司计划在今年下半年完成12层HBM4产品量产的准备工作。而这款全球首发的HBM4芯片极大地激励了市场对SK海力士的信心。
Meritz Security高级分析师Kim Sunwoo预测，由于早期向主要客户供应HBM4以及由此产生的先发优势，SK海力士的HBM市场份额到2026年将保持在60%左右。
另有消息指出，三星电子正在加紧努力确保1c DRAM产能，以争取在HBM4领域的市场份额。三星计划在明年上半年完成其平泽四号园区的相关设备投资，而平泽四号园区是三星最先进的晶圆厂之一。
业内指出，三星目前在测试方面落后竞争对手约两个月的时间，这正迫使三星加快进度。
